VASP 中 ΔSCF 方法用于激发态缺陷计算：技巧与陷阱

约束占据数（constrained occupations）的 ΔSCF 方法已广泛用于研究缺陷的激发态和光学性质。近期研究表明，将 ΔSCF 与混合泛函结合可在预测缺陷性质方面获得良好准确性。维也纳Ab initio计算软件包（VASP）是基于平面波方法的最常用量子力学软件之一。尽管 ΔSCF 方法在 VASP 中用于缺陷研究的应用日益增长，但仍缺乏详细的步骤指南，使其成为一项非平凡的任务。应用混合泛函进行 ΔSCF 计算可能面临收敛挑战；更糟糕的是，它有时会收敛到错误的激发态，而这往往难以察觉。本文旨在作为简明指南，阐述我们认为在 VASP 中进行 ΔSCF 计算的恰当方法。我们通过对二氧化硅空位（SiV$^0$）缺陷（位于金刚石中）的激发态进行仿真来对该方法进行基准测试。我们希望通过指出现有潜在陷阱，鼓励社区进一步讨论，并帮助那些在使用此技术时遇到困难的研究者。本文的指导方针主要基于与 Linköping 大学的 Oscar Bulancea Lindvall 以及斯坦福大学的 Chris Ciccarino 的私人讨论。