基于虚拟晶体近似计算 GaAsxP1-x 混晶不同表面的稳定性
材料科学
2025-11-25 v2 无序系统与神经网络
摘要
混晶的理论处理非常困难。解决该问题的一种直接方法是采用超胞法（SCM）。另一种方法是虚拟晶体近似（VCA），其为维也纳从头算模拟包（VASP）的一项功能。为作比较，我们采用两种方法计算块体 GaAsxP1-x 的总能量（Etot）与态密度（DOS）。随后应用 VCA，借助表面形成能 Omega 的扩展形式计算不同表面的稳定性。我们的计算一方面展示了可用的 VCA 实现及其缺陷（高估 Etot）与优势（良好建模 DOS）；另一方面，另一结果是混晶 slab 的块体部分对表面构型影响甚微。
引用
@article{arxiv.2309.06881,
title = {Calculating the Stability of Different Surfaces of GaAsxP1-x Mixed-Crystals using the Virtual Crystal Approximation},
author = {Marsel Karmo and Hartmut Grille and Isaac Azahel Ruiz Alvarado},
journal= {arXiv preprint arXiv:2309.06881},
year = {2025}
}
备注
16 pages, 4 figures. (1) Minor wording correction in the VCA description. (2) Typographical errors in {\Delta}{\mu}_H and {\Delta}{\mu}_Ga on page 6 corrected. (3) In Figure 3, H_f for the VCA calculation used an incorrect {\mu}^{bulk}_{GaAs_xP_{1-x}}. Figure 3 and the related text on page 9 have been updated