非厄米拓扑系统中的缺陷边缘态与反常体-边对应
强关联电子
2020-04-01 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
非厄米拓扑系统展现出与其厄米对应物颇为不同的性质。非厄米拓扑系统一个重要且令人困惑的问题，是存在超出通常体-边对应（BBC）的缺陷边缘态，它们局域于一维系统的左边缘或右边缘。本文为理解缺陷边缘态的存在，发展了反常体-边对应（A-BBC）理论，将非布洛赫体-边对应（NB-BBC）与非厄米趋肤效应区分开。以一维非厄米 Su-Schrieffer-Heeger 模型为例，探究了缺陷边缘态的潜在物理。缺陷边缘态是反常边缘哈密顿量边界例外点的物理后果。此外，借助一个定理，通过辨识边缘哈密顿量的阿贝尔/非阿贝尔非厄米条件并验证 BBC 比值对 1 的偏离，非厄米拓扑系统中边缘态的数目反常成为一个可定量计算的数学问题。未来，A-BBC 理论可推广到更高维非厄米拓扑系统（例如二维陈绝缘体）。
引用
@article{arxiv.1912.04024,
title = {Defective Edge States and Anomalous Bulk-Boundary Correspondence in non-Hermitian Topological Systems},
author = {Xiao-Ran Wang and Cui-Xian Guo and Su-Peng Kou},
journal= {arXiv preprint arXiv:1912.04024},
year = {2020}
}