具有四次场强修正的带 dyon 黑洞的复杂度增长

在本文中，根据 CA 对偶，我们研究了在一般 $D\geq4$ 维中物质作用量带有四次场强修正（$F^4$ 修正）的 dyon RN 型黑洞的复杂度增长，并发现其作用量增长行为类似于普通 RN 黑洞的情形，即电黑洞与磁黑洞之间表现不同，这是出乎意料的，因为违背了电磁对偶性。为恢复这一对偶性，我们向作用量添加了麦克斯韦边界项（三阶导数阶），并讨论了添加后的结果。此外，我们采用了另一种在 AdS 边界引入 UV 有限截断的方法来评估带与不带 $F^4$ 修正的 dyon 黑洞的复杂度增长率。在该方法中，无需添加表面项，复杂度的晚期时间增长率表现出预期的行为。