Born-Infeld 黑洞的全息复杂度
高能物理 - 理论
2019-12-24 v4
摘要
在本文中，根据 CA 对偶，我们研究了 Born-Infeld (BI) 黑洞的复杂度增长。作为比较，我们首先研究了 Einstein-Maxwell 引力中双荷黑洞的作用量增长。我们研究了 dRGT 质量引力中电 BI 黑洞的作用量增长，发现质量引力中的 BI 黑洞比 Einstein 引力对应物复杂化得更快。我们研究了一般维度中纯电和纯磁 Einstein-Born-Infeld (EBI) 黑洞以及四维中双荷 EBI 黑洞的作用量增长，发现电与磁 EBI 黑洞的作用量增长方式不同。在我们考虑的所有引力系统中，发现纯磁黑洞的作用量增长率消失，这是出乎意料的。为改善这一状况，我们将物质场的边界项加入作用量并讨论了加入后的结果。
引用
@article{arxiv.1810.02208,
title = {Holographic complexity of Born-Infeld black holes},
author = {Kun Meng},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.02208},
year = {2019}
}
备注
26 pages, 6 figure