高维Eddington启发的Born-Infeld引力中的带电黑洞

我们研究一般$D$维时空下Eddington启发的Born-Infeld(EiBI)引力理论的静态(电)带电解。我们考虑物质场的线性(麦克斯韦)及非线性电动力学。在本工作中，我们具体考虑的非线性理论为Born-Infeld电动力学。这些解描述了EiBI引力中的高维黑洞。对于线性麦克斯韦场，我们表明当$D>4$时电场仍是奇异的。当EiBI与BI电动力学耦合时，该奇异性被消除。我们在${\tilde\alpha}\equiv4\kappa b^2/\lambda=1$和$2$的极限下获得EiBI-BI黑洞解。我们还研究了它们的热力学性质。发现$\kappa$施加了一种电荷屏蔽，使得相应的霍金温度在$\kappa$的某临界值处经历从带电型到史瓦西型的突变。热力学稳定性揭示EiBI-BI黑洞可以比RN黑洞具有更小的视界而存在。