基于 MoS2 单层薄膜的互补忆阻器件
介观与纳米尺度物理
2014-05-27 v1 材料科学
摘要
本文在实验上证明，通过滴铸法在 Si/SiO2 上的金叉指电极上形成的 MoS2 单层薄膜表现为一种互补忆阻器件，这是未来交叉存储器中的关键器件。该器件的迟滞行为可在从紫外到红外的光谱范围内被光调制。与以往基于复杂氧化物异质结构的互补忆阻器件相比，该器件具有简单的制备工艺，并且除了电信号外还可由光控制。
引用
@article{arxiv.1405.6406,
title = {Complementary memristive device based on a thin film of MoS2 monolayers},
author = {Antonio Radoi and Mircea Dragoman and Daniela Dragoman and Mihaela Kusko},
journal= {arXiv preprint arXiv:1405.6406},
year = {2014}
}