MoSe$_2$/Clinochlore 器件中的光学存储
材料科学
2024-10-10 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
二维异质结构在利用范德鲁夫材料开发光电子器件方面发挥了关键作用。具有独特光学特性的半导体过渡金属硫化物单层材料为光发射器件提供了广阔的可能性。最近，一种基于这些单层材料 atop 介电基质的记忆驱动型光器件，即所谉的Mem-emitter，被提出。成功实现此类器件高度依赖于选择最佳基质。本文报告了MoSe/Clinochlore器件中出现的显著记忆效应，依据MoSe单层发射强度和能量的电滞回现象，证明了该器件同时具备基于人口驱动和基于转换速率驱动的Mem-emitter功能。我们的理论方法将这些记忆效应与基质的内部状态变量相关联，强调Clinochlore层状结构对于实现稳健且丰富的记忆响应至关重要。本工作引入一种新型二维器件，具有前景的记忆功能，突显了在制作范德鲁夫异质结构中采用替代绝缘体的重要性。
引用
@article{arxiv.2410.07042,
title = {Optical memory in a MoSe$_2$/Clinochlore device},
author = {Alessandra Ames and Frederico B. Sousa and Gabriel A. D. Souza and Raphaela de Oliveira and Igor R. F. Silva and Gabriel L. Rodrigues and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Gilmar E. Marques and Ingrid D. Barcelos and Alisson R. Cadore and Victor López-Richard and Marcio D. Teodoro},
journal= {arXiv preprint arXiv:2410.07042},
year = {2024}
}