拓扑缺陷存在下的电荷分辨纠缠
量子物理
2023-10-11 v2 量子气体
统计力学
高能物理 - 理论
摘要
孤子等拓扑激发或缺陷在物理学中无处不在，支撑着众多有趣的现象，如具有奇异统计的零能模和分数化电荷。在本文中，我们通过对称分辨纠缠熵的视角研究此类对象。具体而言，我们计算了在拓扑缺陷存在下，Su-Schrieffer-Heeger 模型低能态中单个区间的电荷分辨纠缠熵。结合精确与渐近解析技术并辅以数值分析，我们发现与未分辨情形及纯系统相比，出现了更丰富的纠缠结构。这包括由于缺陷的存在导致其构型部分与涨落部分之间的重新分布，以及与纠缠均分的引人注目的相互作用。特别地，在排除缺陷的子系统中，均分仅限于相同宇称的电荷扇区，而如果子系统包含缺陷（只要相关的零模保持未被占据），则完全均分得以恢复。此外，通过在多个缺陷存在下激发零模，我们观察到由于缺陷上的电荷分裂，某些电荷扇区中的纠缠显著增强。这两种呈现纠缠均分失效的不同情形背后存在一种共同机制，我们通过将它们与纠缠哈密顿量谱中的简并相联系而揭示了该机制。此外，均分被证明源于等距的纠缠谱。
引用
@article{arxiv.2306.15532,
title = {Charge-resolved entanglement in the presence of topological defects},
author = {David X. Horvath and Shachar Fraenkel and Stefano Scopa and Colin Rylands},
journal= {arXiv preprint arXiv:2306.15532},
year = {2023}
}
备注
17 pages, 7 figures and 4 appendices