集成单电子存储器操作分析
介观与纳米尺度物理
2009-11-07 v1
摘要
讨论了单电子存储器的 various aspects。特别地，我们分析了弗拉克森-诺姆曼隧穿导致的单电子充电，提出了背景电荷补偿的想法，并讨论了基于纳米保险丝的缺陷容错架构。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0206016,
title = {Analysis of integrated single-electron memory operation},
author = {Alexander N. Korotkov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0206016},
year = {2009}
}
备注
6 pages