将单电子晶体管近邻的背景电荷重排建模为泊松过程
介观与纳米尺度物理
2016-08-15 v1
摘要
金属单电子晶体管中的背景电荷重排被建模为具有比例参数作为唯一变量的二维隧穿系统中的泊松过程。该模型解释了金属单电子晶体管中不对称库仑阻塞峰间距分布的近近观察。从比例参数我们估算了隧穿系统的平均尺寸、态密度以及其能垒高度。我们得出结论，观察到的背景电荷重排主要发生在单电子晶体管的衬底中。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0012426,
title = {Modelling background charge rearrangements near single-electron transistors as a Poisson process},
author = {Heinz-Olaf Müller and Miha Furlan and Thomas Heinzel and Klaus Ensslin},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0012426},
year = {2016}
}
备注
7 pages, 2 eps figures, used epl.cls macro included