一维隧穿结晶数组中的随机背景电荷与库仑阻塞
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v1
摘要
我们数值研究了在包含随机背景电荷的单电子隧穿“正统”理论下，一维隧穿结晶阵列的行为。验证了随机背景电荷分布在幅值和密度上的均匀性。讨论了在有无随机背景电荷的情况下，将均匀阵列用作晶体管的可能性。推导了在无背景电荷的均匀阵列中，零栅极电压附近增益的解析表达式。模拟了有背景电荷时的栅极调制。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0006395,
title = {Random background charges and Coulomb blockade in one-dimensional tunnel junction arrays},
author = {J. Johansson and D. B. Haviland},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0006395},
year = {2009}
}
备注
10 pages, 7 figures