洁净与无序隧穿结阵列中的电荷填充因子
介观与纳米尺度物理
2016-01-15 v2
摘要
我们使用动力学蒙特卡洛方法模拟一维隧穿结阵列，以研究大充电能量极限下的电荷填充行为。通过施加小的固定电压偏置并改变偏移电压，我们在洁净和无序阵列（包括弱无序和强无序效应）中研究了该行为。电流的偏移电压依赖调制对背景电荷无序高度敏感，并随无序强度的不同表现出显著变化。我们表明，由于强背景电荷无序，小的分数电荷填充因子可能在实验器件中被抹去，而较大的因子可能被观测到。
引用
@article{arxiv.1507.04801,
title = {Charge filling factors in clean and disordered arrays of tunnel junctions},
author = {Kelly A. Walker and Nicolas Vogt and Jared H. Cole},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.04801},
year = {2016}
}
备注
9 pages, 7 figures