通过单量子点的光子辅助隧穿中记忆效应的探索：一种广义Floquet理论方法
介观与纳米尺度物理
2015-05-20 v1
摘要
发展了广义Floquet方法来研究通过周期驱动的单量子点在电极-多能级点-电极纳米尺度量子器件中的电子输运现象中的记忆效应。记忆效应使用一个多函数洛伦兹谱密度模型来处理，该模型用多个洛伦兹函数模拟每个电极的谱密度。对于涉及单能级点的对称单函数洛伦兹谱密度模型，底层单粒子传播子被证明与一个包含周期外场和电极记忆效应的有效含时哈密顿量相关。通过引用广义Van Vleck近简并微扰理论，推导出任意阶多光子共振直流隧穿电流的解析Tien-Gordon类表达式。数值收敛模拟与广义Van Vleck解析结果吻合良好，揭示了多光子相干隧穿破坏的起源，并解释了由于记忆效应导致的直流电流阶梯跳变的抑制。特别地，观察到一种新颖的阻塞现象，在大偏压极限下场致电流中显示出独特的振荡。
引用
@article{arxiv.1010.5871,
title = {Exploration of the memory effect on the photon-assisted tunneling via a single quantum dot: A generalized Floquet theoretical approach},
author = {Hsing-Ta Chen and Tak-San Ho and Shih-I Chu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1010.5871},
year = {2015}
}