通过散射矩阵方法研究三维无序拓扑绝缘体的 Z2 相图
介观与纳米尺度物理
2014-04-16 v2 无序系统与神经网络
摘要
无序在三维时间反演不变拓扑绝缘体领域中的作用最近已成为一个活跃的研究方向。然而，计算大型无序系统的 Z2 不变量仍然构成相当大的挑战。在本文中，我们应用并扩展了一种最近提出的基于散射矩阵方法的方法，该方法允许以合理的计算量和少通道引线研究大型系统。通过直接为无序拓扑安德森绝缘体计算 Z2 不变量，我们明确地识别了该相的拓扑性质，而无需借助其与清洁情况的联系。我们能够高效地计算质量 - 无序平面上的 Z2 相图。研究发现，无论是零化学势还是有限化学势，拓扑相边界都能被自洽玻恩近似很好地描述。
引用
@article{arxiv.1401.7461,
title = {Z2 phase diagram of three-dimensional disordered topological insulator via scattering matrix approach},
author = {Björn Sbierski and Piet W. Brouwer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1401.7461},
year = {2014}
}
备注
10 pages