囚禁于H形势阱中的对称与非对称孤子
量子气体
2011-11-03 v2 斑图形成与孤子
光学
摘要
我们报告了对囚禁于H形势阱剖面中的孤子(二维与一维)中自发对称破缺的数值与解析研究结果,该H形势阱由两条平行势阱通过横向的一条狭窄横档连接而成。该系统可在自吸引玻色-爱因斯坦凝聚体(BEC)以及非线性体光学波导中实现。我们证明,引入横向连接使系统中对称破缺分岔(SBB)的性质由亚临界变为超临界(就对应的相变而言,这是从一级相变到二级相变的转变)。该设置中SBB的一个值得注意的特征是,在分岔点处孤子的模随横向连接强度呈非单调依赖关系。在完整的二维系统中,结果以数值形式给出。我们为该模型一维版本中的分岔找到了精确的解析解,其中横向横档由平行势阱之间具有Delta函数纵向剖面的局域线性耦合来建模。将Delta函数替换为具有有限宽度的Gaussian函数,通过变分近似(VA)得到了类似的结果。变分近似还被应用于具有混合线性和非线性横向局域耦合的一维系统。对由该系统不同变体所得到的结果进行比较,清晰地揭示了其中对称破缺转变的基本特征。
引用
@article{arxiv.1110.0790,
title = {Symmetric and asymmetric solitons trapped in H-shaped potentials},
author = {Nguyen Viet Hung and Marek Trippenbach and Boris A. Malomed},
journal= {arXiv preprint arXiv:1110.0790},
year = {2011}
}
备注
14 pages, 9 figures, Physical Review A, in press