中波与长波红外碲镉汞的P型掺杂研究
材料科学
2025-04-25 v1 应用物理
摘要
我们对中波红外（MWIR）和长波红外（LWIR）碲镉汞薄膜的p型掺杂浓度进行了深入研究。在特定条件下改变退火时间，以实现HgCdTe薄膜稳定的铜掺杂浓度。MWIR和LWIR HgCdTe材料均通过分子束外延（MBE）生长，其中观察到随着退火时间增加，LWIR和MWIR HgCdTe薄膜呈现出不同趋势。我们还报告了不同厚度（4微米、6微米和9微米）连同退火时间对LWIR HgCdTe薄膜掺杂水平的影响。
引用
@article{arxiv.2504.17711,
title = {Study on P-Type Doping of Mid-Wave and Long-Wave Infrared Mercury Cadmium Telluride},
author = {Arash Dehzangi and John Armstrong and Chris Schaake and Mark Skokan and Tyler Morrison and Justin Wilks and Sameer Ajmera and Mike Kinch},
journal= {arXiv preprint arXiv:2504.17711},
year = {2025}
}