TiSe$_2$/TiO$_2$异质结上衬底诱导掺杂对电荷密度波的抑制
强关联电子
2018-06-04 v1 介观与纳米尺度物理
材料科学
超导电性
摘要
衬底工程为调控薄膜形式量子材料的物理性质提供了机会。本文报道，生长在TiO上的TiSe薄膜具有出乎意料的大电子掺杂，抑制了电荷密度波（charge density wave, CDW）序。这与块体单晶TiSe或石墨烯上的TiSe薄膜截然不同。外延TiSe薄膜可通过分子束外延（molecular beam epitaxy, MBE）以两种方式在TiO上制备：使用硒和钛源的常规共沉积，以及在重构的TiO表面仅蒸发硒。两种生长方法均得到具有相似物理性质的原子级平整薄膜。电子掺杂及随之而来的CDW序抑制可由TiSe薄膜中的硒空位解释，当使用TiO衬底时自然产生此类空位。这是由于更强的界面键合改变了理想生长条件。我们的发现提供了一种通过衬底选择与工程调控硫族化物薄膜化学势的途径。
引用
@article{arxiv.1806.00197,
title = {Suppression of Charge Density Wave by Substrate Induced Doping on TiSe$_2$/TiO$_2$ Heterostructure},
author = {Tao Jia and Slavko N. Rebec and Shujie Tang and Kejun Xu and Hafiz M. Sohail and Makoto Hashimoto and Dong-Hui Lu and Robert G. Moore and Zhi-Xun Shen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1806.00197},
year = {2018}
}
备注
4 figures