硒/碲二维结构：从碲中的等价 Se 掺杂到原子级薄 Se 膜
材料科学
2023-07-07 v1
摘要
二维（2D）单质半导体在器件应用中具有巨大潜力，但其性能受限于缺乏高效掺杂方法。本文结合分子束外延、扫描隧道显微镜/谱、X 射线光电子能谱与密度泛函理论计算，研究了在石墨烯/6H-SiC(0001) 衬底上随 Se 剂量增加的二维硒/碲膜结构与电子性质的演化。我们发现 Se 原子通过替换表面 Te 原子形成等价掺杂剂，从而引入高效电子掺杂并降低 Te 膜的功函数。随着 Se 剂量增加，在超薄 Te 膜上获得两类单质二维晶态 Se 结构——三角 Se 与 Se8 分子组装膜，不同于直接在石墨烯/6H-SiC(0001) 上沉积 Se 所得的非晶 Se。我们的结果揭示了通过等价掺杂调控二维单质半导体电子性质以及构建等价二维单质材料异质结构的前景。
引用
@article{arxiv.2307.02723,
title = {Selenium / Tellurium Two-Dimensional Structures: from Isovalent Se Dopants in Te to Atomically Thin Se Films},
author = {Guangyao Miao and Nuoyu Su and Ze Yu and Bo Li and Xiaochun Huang and Weiliang Zhong and Qinlin Guo and Miao Liu and Weihua Wang and Jiandong Guo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2307.02723},
year = {2023}
}
备注
15 pages, 7 figures