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MCT二极管阵列的伽马辐照

材料科学 2007-05-23 v1 其他凝聚态物理

作者: F. F. Sizov , I. O. Lysiuk , J. V. Gumenjuk-Sichevska , S. G. Bunchuk , V. V. Zabudsky

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摘要

本文对暴露于伽马辐射下的长波红外(LWIR)碲镉汞(MCT)阵列的电学性质进行了研究。利用微探针技术，在 T=78 K 下研究了 LWIR n{+}-p 光电二极管在不同剂量伽马辐射暴露前后的电阻-面积乘积特性。在考虑带隙中陷阱态占据情况的平衡方程模型框架内，描述了这些结构的电流输运机制。

关键词

伽马辐射 MCT二极管阵列长波红外电阻-面积乘积电流输运机制陷阱态

引用

@article{arxiv.cond-mat/0601276,
  title  = {Gamma radiation exposure of MCT diode arrays},
  author = {F. F. Sizov and I. O. Lysiuk and J. V. Gumenjuk-Sichevska and S. G. Bunchuk and V. V. Zabudsky},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0601276},
  year   = {2007}
}

备注

11 pages, 4 figures, submitted to Semiconductor Science and Technology