阻挫$J_1-J_2$模型中的自旋电阻率
统计力学
2015-05-20 v1
摘要
本文研究了伊辛巡游自旋在所谓的阻挫简立方伊辛晶格中运动时所遇到的电阻率。对于晶格，我们考虑了最近邻和次近邻相互作用，分别为和。巡游自旋通过距离依赖的相互作用与晶格自旋相互作用。我们还考虑了巡游自旋之间的相互作用。在的一个范围内，晶格是阻挫的，我们表明在该范围内晶格经历了一个非常强的一级相变。利用蒙特卡洛模拟，我们计算了巡游自旋的电阻率，并表明晶格的一级相变导致了的不连续性。
引用
@article{arxiv.1012.4253,
title = {Spin Resistivity in the Frustrated $J_1-J_2$ Model},
author = {Danh-Tai Hoang and Yann Magnin and Hung The Diep},
journal= {arXiv preprint arXiv:1012.4253},
year = {2015}
}
备注
submitted for publication