每像素单微孔用于增强至1700 nm灵敏度的薄型Ge-on-Si图像传感器
应用物理
2022-09-29 v1 光学
摘要
我们提出一种用于近红外电磁波（波长范围300-1700nm）探测的背面照射Ge-on-Si CMOS图像传感器，该探测对光学传感器技术至关重要。微孔有助于增强光学效率并将范围扩展至1.7微米波长。我们展示了为实现近红外最大吸收而对纳米孔宽度与深度进行的优化。我们通过采用像素间薄氧化硅深槽隔离展示了串扰的降低。最后，我们展示了引入孔后器件电容降低26-50%。此类CMOS兼容的Ge-on-Si传感器将实现高密度、超快且高效的近红外成像。
引用
@article{arxiv.2209.14242,
title = {Single Micro-hole per Pixel for Thin Ge-on-Si Image Sensor with Enhanced Sensitivity upto 1700 nm},
author = {Ekaterina Ponizovskaya-Devine and Ahmed S. Mayet and Amita Rawat and Ahasan Ahamed and Shih-Yuan Wang and Aly F. Elrefaie and Toshishige Yamada and M. Saif Islam},
journal= {arXiv preprint arXiv:2209.14242},
year = {2022}
}
备注
6 pages, 5 figures