具有近红外增强光学灵敏度的每像素单微孔 CMOS 图像传感器
光学
2020-11-24 v1 图像与视频处理
摘要
研究了基于硅光电二极管、覆盖 300 至 1000 nm 波长范围的背照式 CMOS 传感器。我们表明，光电二极管中的单个孔可提高像素的光学效率。在近红外波长下，该增强使得 3 微米厚 Si 中的吸收率达到 70%，比平面像素好 4 倍。我们比较了不同形状和尺寸的单孔及孔阵列。我们已表明，单孔中特定尺寸和形状能更显著地提高光学效率。像素间的沟槽成功降低了串扰。我们优化了沟槽，以在 1.12 微米像素上实现最小像素间隔。
引用
@article{arxiv.2011.10624,
title = {Single Microhole per Pixel in CMOS Image Sensor with Enhanced Optical Sensitivity in Near-Infrared},
author = {E. Ponizovskaya Devine and Wayesh Qarony and Ahasan Ahamed and Ahmed S Mayet and Soroush Ghandiparsi and Cesar Bartolo-Perez and Aly F Elrefaie and Toshishige Yamada and Shih-Yuan Wang and M. Saif Islam},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.10624},
year = {2020}
}
备注
13 pages, 4 figures, and 2 tables