基于每像素单光子捕获孔优化的CMOS图像传感器以增强近红外灵敏度
光学
2021-10-04 v1 应用物理
摘要
研究了基于硅光电二极管、背照式、覆盖300-1000 nm波长范围的CMOS传感器的优化。结果表明，光电二极管上的单个孔可提高像素在近红外波长下的光学效率。具有最优尺寸的孔使3 m厚硅光电二极管的吸收增强60%，比可比平面光电二极管优4个数量级。我们展示了存在使蓝、绿、红及红外吸收最大的孔的最优尺寸与深度。通过采用像素间尺寸为1.12 的薄沟槽，成功降低了串扰。
引用
@article{arxiv.2110.00206,
title = {Optimization of CMOS image sensors with single photon-trapping hole per pixel for enhanced sensitivity in near-infrared},
author = {E. Ponizovskaya Devine and Ahasan Ahamed and Ahmed S. Mayet and Soroush Ghandiparsi and Cesar Bartolo-Perez and Lisa McPhillips and Aly F. Elrefaie and Toshishige Yamada and Shih-Yuan Wang and M Saif Islam},
journal= {arXiv preprint arXiv:2110.00206},
year = {2021}
}
备注
4 pages, 4 figures