液相电外延生长渐变带隙GaAsₓP₁₋ₓ固溶体的模拟
材料科学
2008-08-15 v2
摘要
从理论上考虑了在液相电外延过程中，从Ga-As-P溶液-熔体中在GaAs衬底上控制GaAs₁₋ₓPₓ固溶体成分的可能性。通过模拟确定，在稳态条件下，指定诸如温度和/或生长空间厚度等工艺参数，可以获得GaAs₁₋ₓPₓ固溶体的渐变带隙层，其中P含量向层表面增加，成分梯度从0.5×10⁻⁴摩尔分数/nm到2.0×10⁻³摩尔分数/nm。研究还表明，在液相电外延中，可以通过使用非稳态电场来实现对三元固溶体成分的控制。
引用
@article{arxiv.0808.1229,
title = {Simulation of Growth of Graded Bandgap Solid Solutions of GaAsxP1-x at Liquid Phase Electroepitaxy},
author = {V. V. Tsybulenko and Ye. A. Baganov and V. A. Krasnov and S. V. Shutov},
journal= {arXiv preprint arXiv:0808.1229},
year = {2008}
}
备注
17 pages, 5 figures, 1 table