液态Ga_xAs_{1-x}合金的Ab Initio分子动力学模拟
凝聚态物理
2009-10-31 v1
摘要
我们报告了在五个不同浓度下，对温度为1600 K（仅高于GaAs熔点）的液态Ga_xAs_{1-x}合金进行ab initio分子动力学模拟的结果。该液体在x=0.2至x=0.8的所有浓度下均为金属性，x≈0.5处呈现弱电阻率最大值，符合Faber-Ziman表达式。电子态密度在费米能级处为有限值；然而，尤其在As富集样品中，存在显著的 pseudogap。Ga富集的态密度更接近自由电子金属的态密度。部分结构因子仅显示化学短程有序的微弱迹象。在液态状态下，仍残存固体中发现的共价键，其在键角分布函数中体现。最后，我们计算了在1600K下的原子扩散系数：在Ga_{0.8}As_{0.2}中的Ga离子为2.1×10^{-4} cm^2/s，在Ga_{0.2}As_{0.8}中的As离子为1.7×10^{-4} cm^2/s。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0008467,
title = {Ab Initio Molecular Dynamics Simulation of Liquid Ga_xAs_{1-x} Alloys},
author = {R. V. Kulkarni and D. Stroud},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0008467},
year = {2009}
}
备注
29 pages, 10 eps figures, accepted for publication in Phys. Rev. B