高 n 型 InN 中的自补偿效应
材料科学
2012-07-09 v1 其他凝聚态物理
摘要
利用正电子湮灭谱技术探测了高 n 型 InN 中的受主型缺陷。将结果与霍尔效应测量及计算得出的电子迁移率进行了比较。在此基础上，研究了 n 型 InN 中的自补偿效应，并讨论了辐照和 Si 掺杂 InN 中补偿中心和散射中心的微观起源。我们发现，带负电的铟空位复合体导致了显著的补偿作用，此外还存在有效开放体积为零或很小的其他受主型缺陷，它们在高 n 型 InN 样品中充当散射中心。
引用
@article{arxiv.1204.3299,
title = {Self-compensation in highly n-type InN},
author = {C. Rauch and F. Tuomisto and P. D. C. King and T. D. Veal and H. Lu and W. J. Schaff},
journal= {arXiv preprint arXiv:1204.3299},
year = {2012}
}
备注
5 pages, 3 figures