Zn$_{1-x}$Mn$_x$GeAs$_2$中的点缺陷与 p 型导电性

利用正电子湮灭谱研究了具有无序闪锌矿和黄铜矿结构的低 Mn 含量 ($0 < x < 0.042$) Zn$_{1-x}$Mn$_x$GeAs$_2$晶体中的点缺陷。讨论了带负电的空位和非开放体积缺陷在我们样品中高 p 型导电性（载流子浓度 $1\times10^{19} < n < 1\times10^{21}$ cm$^{-3}$）中的作用。观察到中性 As 空位，以及带负电的 Zn 空位和浓度约为 $1\times10^{16}$-$1\times10^{18}$ cm$^{-3}$的非开放体积缺陷，且这些缺陷随合金中 Mn 含量的增加而增加。观察到的缺陷浓度不足以解释我们晶体的强 p 型导电性。因此，我们推测其他类型的缺陷，如扩展缺陷，对 Zn$_{1-x}$Mn$_x$GeAs$_2$晶体的导电性有强烈影响。