n型 InN 中的缺陷演化与相互作用
材料科学
2012-04-17 v1
摘要
利用正电子湮没谱和透射电子显微镜，研究了自由载流子浓度高达 6.6x10E20cm-3 的 n型 Si 掺杂 InN 外延层中本征点缺陷与扩展缺陷的性质及相互作用，并与未掺杂辐照薄膜的结果进行了比较。在生长态的 Si 掺杂样品中，V_In-V_N 复合体是主导的 III子晶格相关空位缺陷。在界面处观察到了更大的 V_In-mV_N 团簇的增强形成，这表明近界面区域存在高浓度的额外 V_N，并与该区域螺型和刃型位错密度的增加相吻合。
引用
@article{arxiv.1111.5186,
title = {Defect evolution and interplay in n-type InN},
author = {Christian Rauch and Filip Tuomisto and Arantxa Vilalta-Clemente and Bertrand Lacroix and Pierre Ruterana and Simon Kraeusel and Ben Hourahine and William J. Schaff},
journal= {arXiv preprint arXiv:1111.5186},
year = {2012}
}
备注
4 pages, 3 figures