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石墨烯中库仑杂质的屏蔽

介观与纳米尺度物理 2008-02-25 v2 材料科学 原子物理

摘要

我们精确计算了石墨烯中亚临界库仑杂质Ze/rZ|e|/r场中的真空极化电荷密度。我们的分析基于通过算符方法获得的精确电子格林函数,并得出了在参数ZαZ\alpha中精确的结果,其中α\alpha是石墨烯的“精细结构常数”。考虑到 Hartree 近似下的电子 - 电子相互作用,我们在亚临界区域自洽地解决了该问题,其中杂质具有由局域诱导电荷决定的有效电荷ZeffZ_{eff}。我们发现,对于任何α\alpha,裸电荷 Z=1 的杂质仍然保持亚临界状态,Zeffα<1/2Z_{eff} \alpha < 1/2,而Z=2,3Z=2,3及更高的杂质在某些α\alpha值下可能变为超临界。

关键词

引用

@article{arxiv.0708.4263,
  title  = {Screening of Coulomb Impurities in Graphene},
  author = {Ivan S. Terekhov and Alexander I. Milstein and Valeri N. Kotov and Oleg P. Sushkov},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0708.4263},
  year   = {2008}
}

备注

4 pages, 2 figures