石墨烯中库仑杂质的屏蔽
介观与纳米尺度物理
2008-02-25 v2 材料科学
原子物理
摘要
我们精确计算了石墨烯中亚临界库仑杂质场中的真空极化电荷密度。我们的分析基于通过算符方法获得的精确电子格林函数,并得出了在参数中精确的结果,其中是石墨烯的“精细结构常数”。考虑到 Hartree 近似下的电子 - 电子相互作用,我们在亚临界区域自洽地解决了该问题,其中杂质具有由局域诱导电荷决定的有效电荷。我们发现,对于任何,裸电荷 Z=1 的杂质仍然保持亚临界状态,,而及更高的杂质在某些值下可能变为超临界。
引用
@article{arxiv.0708.4263,
title = {Screening of Coulomb Impurities in Graphene},
author = {Ivan S. Terekhov and Alexander I. Milstein and Valeri N. Kotov and Oleg P. Sushkov},
journal= {arXiv preprint arXiv:0708.4263},
year = {2008}
}
备注
4 pages, 2 figures