具有拓扑缺陷的石墨烯中的库仑屏蔽

我们分析了无隙石墨烯锥（被视为拓扑缺陷的原型）中外加库仑电荷的屏蔽。在亚临界区，使用格林函数和 Friedel 求和规则计算诱导电荷。从格林函数得到的极化电荷对库仑强度的依赖清楚地显示了锥形缺陷的效应，并表明临界电荷本身依赖于样品拓扑。使用 Friedel 求和规则的类似分析表明，两种结果在库仑电荷低值时一致，但在较高强度下分歧，尤其在存在锥形缺陷时。对于给定的亚临界电荷，输运截面在存在锥形缺陷时具有更高的值。在超临界区我们证明极化电荷密度幂律尾的系数可表示为随距库仑杂质距离对数周期变化的函数之和。变化周期取决于锥形缺陷。在存在锥形缺陷时，Fano 共振开始在较低库仑电荷值下出现在输运截面中。对于亚临界和超临界两种区，我们推导了 LDOS 对锥形缺陷的依赖。还讨论了广义边界条件对物理观测量的影响。