双层石墨烯中的库仑中心不稳定性

在低能双带及四带连续介质模型中，我们研究了带电杂质场中带隙双层石墨烯的超临界不稳定性。研究发现屏蔽效应在双层石墨烯中至关重要。若忽略屏蔽效应，当最低能束缚态潜入下连续谱时，杂质电荷的临界值随能隙 $\Delta$ 趋于零而趋向于零。若考虑屏蔽库仑相互作用，则当 $\Delta \to 0$ 时临界电荷趋向于一个有限值。准粒子动能与库仑相互作用相对于到带电杂质距离的不同标度行为，确保了电子束缚态的波函数不会随其电荷增加而向杂质收缩。这导致尽管实现了超临界不稳定性，但双层石墨烯中不存在“落向中心”现象。