场效应晶体管亚阈值摆幅的理论极限修正
介观与纳米尺度物理
2019-12-06 v3
摘要
本快报报道了 MOSFET 中亚阈值摆幅的一种随温度变化的极限，其在深低温下偏离玻尔兹曼极限。在临界温度以下，导出的极限饱和至一个与温度无关、且与带尾展宽成正比的值。由于该饱和现象在不同类型 MOSFET（无论维度或半导体材料）中普遍观测到，该带尾归因于半导体体内晶格的有限周期性，以及在较小程度上归因于缺陷或无序等附加晶格扰动。
引用
@article{arxiv.1811.09146,
title = {Revised theoretical limit of subthreshold swing in field-effect transistors},
author = {Arnout Beckers and Farzan Jazaeri and Christian Enz},
journal= {arXiv preprint arXiv:1811.09146},
year = {2019}
}
备注
Revised derivation (band tail + Fermi-Dirac statistics), result unchanged