基于体纠缠谱的晶格陈绝缘体精细表征
强关联电子
2016-12-21 v3 高能物理 - 理论
量子物理
摘要
我们广泛研究了各种晶格陈绝缘体的体纠缠谱（BES）的能带交叉模式。我们发现，当系统处于非零陈数的拓扑相时，只有具有对偶对称性的划分才能在 BES 中具有稳定的节线或节点。通过形变哈密顿量以解除偶然对称性，可以看出只有节点是鲁棒的。因此它们应承载 BES 的某些拓扑特征。通过详细研究能带交叉模式，我们得出结论：BES 的拓扑特征继承自底层陈绝缘体的拓扑序，且前者可以具有更精细的拓扑结构。我们随后提出猜想：在适当选择的约化布里渊区中，BES 中的涡旋度之和等于底层陈绝缘体的陈数。这一关系超越了拓扑绝缘体/超导体通常的分类方案。
引用
@article{arxiv.1607.05580,
title = {Refined Characterization of Lattice Chern Insulators by Bulk Entanglement Spectrum},
author = {Dah-Wei Chiou and Hsien-Chung Kao and Feng-Li Lin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.05580},
year = {2016}
}
备注
19 pages, 32 figures; v3: revised with various improvements, version to appear in PRB