对单晶硅中形变势常数的重新理解
材料科学
2024-01-30 v2
摘要
基于形变势（DP）理论的迁移率公式在半导体物理中具有重要意义。然而，与 DP 常数相关的计算存在争议。有必要对单晶硅的迁移率及其相关参数（如有效质量和 DP 常数）重新进行深入全面的研究。在本研究中，我们重新定义了电导有效质量，并提出了一种基于第一性原理的方法来评估 DP 常数的修正。研究发现，有效质量更接近实验数据，且 DP 的修正是一个约为 0.3 eV 的可忽略数值。利用这些参数，我们获得了与实验值合理一致的单晶硅迁移率。我们的方法可有效应用于体材料的迁移率预测。
引用
@article{arxiv.2312.06954,
title = {Re-understanding of the deformation potential constant in the single crystal silicon},
author = {Feng Sun and Aijun Hong},
journal= {arXiv preprint arXiv:2312.06954},
year = {2024}
}