体硅的本征迁移率上限
介观与纳米尺度物理
2011-09-08 v1
摘要
我们通过密度泛函理论-非平衡格林函数方法（DFT-NEGFF）计算了体硅沿不同晶体学方向的电导。我们发现体硅的本征迁移率存在一个上限值，为 8.4×10⁶ cm²/V·s。我们认为这一结果与 <001> 方向的最低有效质量有关。
引用
@article{arxiv.1109.1311,
title = {An intrinsic mobility ceiling of Si bulk},
author = {Nuria Garcia-Castello and Joan Daniel Prades and Albert Cirera},
journal= {arXiv preprint arXiv:1109.1311},
year = {2011}
}
备注
6 pages, 2 figures