二维系统中临界密度的迁移率依赖性：经验关系
强关联电子
2009-11-07 v1
摘要
对于Si MOSFETs、p-GaAs、p-SiGe、n-GaAs和n-AlAs等五种二维电子和空穴系统，临界密度（标志着强局域化开始的临界点）被证明是由从最大迁移率推导的散射率的单一幂律函数。该结果曲线定义了局域相与表现出金属性行为的相之间的边界。临界密度在无限迁移率极限下趋于零。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0105629,
title = {Mobility-Dependence of the Critical Density in Two-Dimensional Systems: An Empirical Relation},
author = {M. P. Sarachik},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0105629},
year = {2009}
}
备注
2 pages, 1 figure