用 Feynman 变分方法预测有机半导体中的极化子迁移率

我们将应用于抛物带 Fröhlich（连续介质）大极化子的 Feynman 变分方法扩展到具有抛物带的 Holstein（晶格）小极化子。这一新理论显示了作为耦合强度函数的离散局域化。由于采用与 1955 年工作相同的准粒子拉格朗日量构建理论，我们可以直接使用 FHIP 响应理论计算直流迁移率与复电导率。我们表明，通过对晶态 Rubrene 中电荷载流子迁移率建模，可从真实材料的电子结构计算中取矩阵元。与测量结果吻合良好，预测在 $300$~\si{K} 下迁移率为 $\mu = 47.72$~\si{cm^2 V^{-1} s^{-1}}。