基于扫描探针显微镜研究的硅中二次电机械应变
材料科学
2018-04-26 v2 应用物理
仪器与探测器
摘要
压电响应力显微镜（PFM）是一种广泛用于表征纳米尺度压电性与铁电性的有力工具。然而，有必要区分 PFM 所测得的压电性与非压电贡献的微观机制。本工作中，我们系统研究了硅片在垂直与横向模式下的基波与二次谐波表观压电响应，并展示其表现出对施加电场呈二次关系的表观电机械响应，可能源于带电探针诱导的离子电化学偶极子。因此，所测电机械响应在垂直模式下以二次谐波响应为主，其极性可由直流电压切换，并伴随矫顽场与最大幅值的演化，这与我们用作对照的典型铁电材料形成鲜明对比。硅中的离子活性亦由扫描热离子显微镜（STIM）测量所证实，本工作提出了一套区分真实压电性与表观压电性的方法。
引用
@article{arxiv.1801.10238,
title = {Quardratic Electromechanical Strain in Silicon Investigated by Scanning Probe Microscopy},
author = {Junxi Yu and Ehsan Nasr Esfahani and Qingfeng Zhu and Dongliang Shan and Tingting Jia and Shuhong Xie and Jiangyu Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.10238},
year = {2018}
}