利用压电响应力显微镜观测硅中的滞后相开关
介观与纳米尺度物理
2014-04-29 v1
摘要
我们报道了利用压电响应力显微镜（PFM）在硅晶片上观测到 相开关。该开关具有滞后性，并与铁电体中的极化开关表现出显著的相似性。这始终伴随着滞后的振幅-电压曲线，类似于压电材料的“蝴蝶回线”。通过对不同环境和实验条件下获得的数据进行详细分析，我们表明相位和振幅的滞后效应并非源于铁电性或压电性。这进一步表明，仅在 PFM 中观测到滞后效应并不能证实材料中存在铁电和/或压电序。我们还表明，当样品安装在硅上进行 PFM 测量时，即使样品厚度很大，硅的开关特性也可能出现在样品上。
引用
@article{arxiv.1401.2512,
title = {Observation of hysteretic phase-switching in silicon by piezoresponse force microscopy},
author = {Jagmeet S. Sekhon and Leena Aggarwal and Goutam Sheet},
journal= {arXiv preprint arXiv:1401.2512},
year = {2014}
}
备注
4 pages, 3 figures