量子点与硅二维电子气的刻蚀诱导耗尽
介观与纳米尺度物理
2015-06-25 v1
摘要
半导体中电子的受控耗尽是众多器件的基础。反应离子刻蚀为制造经典和量子器件提供了一种有效技术。然而，费米能级钉扎可能发生，在小器件（如量子点）的开发中必须仔细考虑。由于耗尽，器件的电学尺寸相对于其物理尺寸会减小。为了研究这个问题，我们使用两种不同的刻蚀气体CF和SF在硅锗异质结构中制造了几种类型的器件。我们通过两种方法估算与每种刻蚀相关的耗尽宽度：（i）对厚度递减的刻蚀线进行电导测量（以确定耗尽起始点），（ii）对量子点进行电容测量（以估算有源区尺寸）。我们发现SF刻蚀引起的耗尽宽度小得多，使其更适合器件制造。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0503766,
title = {Quantum Dots and Etch-Induced Depletion of a Silicon 2DEG},
author = {L. J. Klein and K. L. M. Lewis and K. A. Slinker and Srijit Goswami and D. W. van der Weide and R. H. Blick and P. M. Mooney and J. O. Chu and S. N. Coppersmith and Mark Friesen and Mark A. Eriksson},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0503766},
year = {2015}
}
备注
7 pages, 10 figures