刻蚀诱导的氮化钛超导谐振器微波损耗
超导电性
2016-01-19 v1
摘要
我们研究了在硅片上制备的共面波导氮化钛谐振器的微波损耗与图案化方法之间的相关性。研究了三种不同的方法：基于氟和氯的反应离子刻蚀以及氩离子铣削。在高微波探测功率下，反应离子刻蚀的谐振器显示出低内部损耗，而离子铣削的样品显示出显著更高的损耗。在单光子功率下，我们发现氟刻蚀的谐振器比氯刻蚀的谐振器表现出更低的损耗。我们通过使用数值计算的填充因子来解释结果，并发现硅表面在氯刻蚀时比氟刻蚀时表现出更高的损耗。我们还从显微镜中发现，硅重新沉积到光刻胶和侧壁是离子铣削谐振器观察到高损耗的可能原因。
引用
@article{arxiv.1205.3153,
title = {Etch Induced Microwave Losses in Titanium Nitride Superconducting Resonators},
author = {Martin Sandberg and Michael R. Vissers and Jeffrey S. Kline and Martin Weides and Jiansong Gao and David S. Wisbey and David P. Pappas},
journal= {arXiv preprint arXiv:1205.3153},
year = {2016}
}