超导薄膜微波谐振器中的损耗机制
超导电性
2016-01-26 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们基于硅衬底上的铌薄膜，对超导共面波导微波谐振器的内部损耗进行了系统分析。特别地，我们研究了中心导体中Nb/Al界面引入的损耗，这对于将基于Al的约瑟夫森结集成到基于Nb的电路中的实验十分重要。我们发现，当这些界面不位于谐振器的电流节点时，它们可能成为二能级态（TLS）损耗的强来源。除TLS损耗外，对于包含Al的谐振器，准粒子损耗在200 mK以上变得显著。最后，我们研究了如何通过采用足够厚的衬底或在衬底背面使用高导电性金属，来最小化由衬底背面导电材料中的涡流产生的损耗。
引用
@article{arxiv.1510.05957,
title = {Loss mechanisms in superconducting thin film microwave resonators},
author = {Jan Goetz and Frank Deppe and Max Haeberlein and Friedrich Wulschner and Christoph W. Zollitsch and Sebastian Meier and Michael Fischer and Peter Eder and Edwar Xie and Kirill G. Fedorov and Edwin P. Menzel and Achim Marx and Rudolf Gross},
journal= {arXiv preprint arXiv:1510.05957},
year = {2016}
}