微波与亚毫米波长下的超导微带线损耗

我们提出了一种片上实验室实验，以精确测量微波和亚毫米波长下超导微带线的损耗。微带线由使用反应磁控溅射沉积的 NbTiN 和使用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）沉积的非晶硅制成。亚毫米波损耗使用在 $350\$GHz 附近工作的片上 Fabry-P{\'e}rot 谐振器（FPR）进行测量。微波损耗使用在同一芯片上制造的具有相同几何形状的分流半波谐振器进行测量。我们测量了单光子能量下非晶硅在 $6\$GHz 时的损耗角正切为 $\tan\delta =3.7\pm0.5\times10^{-5}$，在 $350\$GHz 时的损耗角正切为 $\tan\delta = 2.1\pm 0.1\times10^{-4}$。这些结果表明沉积介质的损耗非常低，但亚毫米波损耗显著高于微波损耗，这无法使用标准的双能级系统损耗模型来解释。