不同刻蚀方法对 Transmon 介质损耗的影响
量子物理
2025-04-02 v1 超导电性
摘要
超导量子比特被视为实现容错量子计算的有前景的平台。然而，超导体表面缺陷和基板导致量子比特相干性衰减和量子比特参数波动是一个显著问题。缺陷的数量和类型取决于芯片材料和制造程序。在本工作中，我们实验性地研究了两种不同方法制备的 transmon：一种是弱酸溶液中的湿法刻蚀，另一种是氯化物基等离子体中的干法刻蚀。干法刻蚀量子比特的松弛时间和相干时间是湿法刻蚀量子比特的两倍以上。此外，对量子比特频率和松弛时间时间波动的分析，这是一种有效识别主导介质损耗机制的方法，表明干法刻蚀量子比特中两水平系统的影响显著低于湿法刻蚀量子比特。
引用
@article{arxiv.2409.16097,
title = {Effect of Etching Methods on Dielectric Losses in Transmons},
author = {T. A. Chudakova and G. S. Mazhorin and I. V. Trofimov and N. Yu. Rudenko and A. M. Mumlyakov and A. S. Kazmina and E. Yu. Egorova and P. A. Gladilovich and M. V. Chichkov and N. A. Maleeva and M. A. Tarkhov and V. I. Chichkov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2409.16097},
year = {2025}
}
备注
7 pages, 6 figures