弛豫时间超过 0.5 毫秒的 Transmon 量子比特
量子物理
2023-03-20 v1
摘要
通过钽(Ta)薄膜的干法刻蚀工艺，我们获得了最佳寿命(T1)为 503 μs 的 transmon 量子比特，表明该干法刻蚀工艺可用于后续 Ta 薄膜多量子比特制备。我们还比较了采用相同约瑟夫森结设计与制备工艺、由不同材料(Ta、Nb 与 Al)制作的 transmon 的弛豫与相干时间，发现 Ta 薄膜制备的样品性能最佳，其次为 Al 薄膜与 Nb 薄膜。我们推断造成此差异的原因在于金属-空气界面处氧化物材料损耗的不同。
关键词
引用
@article{arxiv.2105.09890,
title = {Transmon qubit with relaxation time exceeding 0.5 milliseconds},
author = {Chenlu Wang and Xuegang Li and Huikai Xu and Zhiyuan Li and Junhua Wang and Zhen Yang and Zhenyu Mi and Xuehui Liang and Tang Su and Chuhong Yang and Guangyue Wang and Wenyan Wang and Yongchao Li and Mo Chen and Chengyao Li and Kehuan Linghu and Jiaxiu Han and Yingshan Zhang and Yulong Feng and Yu Song and Teng Ma and Jingning Zhang and Ruixia Wang and Peng Zhao and Weiyang Liu and Guangming Xue and Yirong Jin and Haifeng Yu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2105.09890},
year = {2023}
}