在加热硅衬底上溅射的高质量超导 α-Ta 薄膜
超导电性
2024-05-08 v2 量子物理
摘要
受 α-Ta/Al2O3 基 Transmon 量子比特长寿命发现的启发，研究人员最近发现 α-Ta 薄膜是制备具有长相干时间的多量子比特的有前景平台。为满足集成超导量子电路的要求，理想方法是在与工业制造兼容的硅衬底上生长 α-Ta 薄膜。在此我们报道了在带有低损耗超导 TiNx 缓冲层的 Si(100) 上溅射生长的 α-Ta 薄膜。具有大生长温度窗口的 α-Ta 薄膜具有良好的结晶特性。在 500 °C 生长的 α-Ta 薄膜的超导临界转变温度（Tc）和剩余电阻率比（RRR）均高于室温（RT）生长的 α-Ta 薄膜。这些结果为理解 α-Ta 薄膜中超导性与材料特性之间的联系提供了关键实验线索，并为未来工业超导量子计算机在硅衬底上制备高质量 α-Ta 薄膜开辟了新途径。
引用
@article{arxiv.2305.10957,
title = {High-quality superconducting {\alpha}-Ta film sputtered on heated silicon substrate},
author = {Yanfu Wu and Zengqian Ding and Kanglin Xiong and Jiagui Feng},
journal= {arXiv preprint arXiv:2305.10957},
year = {2024}
}