超导量子比特中强耦合缺陷的统计特性

超导量子比特中的退相干主要由位于非晶界面的缺陷主导。与离散缺陷的相互作用会导致掉落现象，使量子比特操作复杂化，并在量子比特能量弛豫时间 $T_1$ 的分布中引起非高斯尾部，从而降低系统性能。缺陷随时间的光谱扩散导致 $T_1$ 的波动，对校准构成挑战。在这项工作中，我们测量了磁通可调transmon在一系列工作频率下的能量弛豫。我们通过改变量子比特几何结构，使界面参与比改变了一个数量级以上。我们的结果与由离散界面缺陷主导的损耗相一致。此外，我们能够将主导缺陷定位在量子比特结500 nm范围内，该处存在剥离工艺的残留物。这些结果推动了量子比特结制造新方法的发展，以避免剥离工艺中固有的残留物。