窄线的刻蚀工艺及其在可调势垒电子泵中的应用
介观与纳米尺度物理
2020-08-18 v1
摘要
单电子源作为建立电流标准的器件已被研究30年，近来也作为费米子量子光学中的按需相干源进行研究。为了在GaAs/AlGaAs二维电子气(2DEG)上构建单电子源，常需通过刻蚀制备亚微米线。我们确立了结合光刻与电子束光刻且采用一步光刻胶涂覆来制作由脆弱2DEG构成的窄线技术，其使我们能同时刻蚀精细与粗糙结构。已证明在该窄线上制备的单电子源以射频每周期泵浦固定数目电子。该制备技术降低了损伤2DEG的风险，改善了光刻工艺，并适用于其他材料的刻蚀与干法刻蚀。
引用
@article{arxiv.2005.10533,
title = {Etching process of narrow wire and application to tunable-barrier electron pump},
author = {Shota Norimoto and Shuichi Iwakiri and Masahiko Yokoi and Tomonori Arakawa and Yasuhiro Niimi and Kensuke Kobayashi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.10533},
year = {2020}
}
备注
3 pages, 3 figures