采用正性电刻胶制备的 GaAs 光机微盘的 Ar/Cl$_{2}$ 刻蚀

本文提出了一种在电感耦合等离子体刻蚀中仅使用带有电子光刻图形的软掩模来制备 GaAs 微腔的方法。对制备工艺进行了细致表征，指出了获得平滑器件侧壁的主要途径。利用最终配方，制备了光机微盘谐振器。结果显示其光学品质因子非常高，达到 $Q_\text{opt}>2\times 10^{5}$，属于已报道的干法刻蚀器件中最高之列。最终器件还表现出高机械品质因子以及 $g_{0}=2\pi\times 13.6$ kHz 的光机真空耦合常数，可在高于 $1$ mW 的光输入功率下实现自持续机械振荡。